国星光电成功点亮Micro LED新品nStar Ⅲ

国星光电 nStar Ⅲ技术优势：

高精度转移

采用国星光电自主研发的巨量转移技术路线，实现＞50多万颗Micro LED芯片高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度＜2um，转移良率＞99.9%。此外，国星Micro LED研发平台未来还可支持12寸以内基板上芯片多次拼接键合。

高集成封装

采用国星光电自主研发的Micro LED玻璃基封装专利技术，外形厚度更薄，平整度更高，可兼顾散热与显示一致性。

至此，国星光电已实现像素间距从P0.X至P0.0X等多样化场景应用的“未来国星屏”矩阵。

来源：国星光电