南大光电：公司光刻胶产品顺利推进

来源：集微网

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10月10日，南大光电接受投资者提问时表示，公司研制出的光刻胶产品于2020年初进入客户端测试，预计需要12-18个月的时间，目前客户验证正在顺利推进。

南大光电称，公司承接的“ArF光刻胶开发与产业化项目”按项目计划于2020年底2021年初接受国家02专项专家组的验收，具体验收时间会根据专家组的通知安排调整。

目前，南大光电已安装完成一条 193nm 光刻胶生产线，正在调试。

193nm 光刻胶作为当前高端芯片制造（ AI 芯片、5G 芯片、大容量存储器和云计算芯片等）中最为核心的原材料，被喻为半导体工业的“血液”，可以用于 90nm~14nm 技术节点的集成电路制造工艺。

据了解，南大光电成立子公司宁波南大光电，全力推光刻胶进项目落实实施。公司组建了包括高级光刻胶专业人才的独立研发团队，建成1500平方米的研发中心和百升级光刻胶中试生产线，产品研发进展和成果得到业界专家的认可。

经过几年的业务布局和市场拓展，南大光电产品行业覆盖由LED逐步拓展到集成电路、半导体、面板等行业，业务转型实现重大突破。其中，南大光电在MO源的合成制备、纯化技术、分析检测、封装容器等方面已全面达到国际先进水平，成功打破国外在这一重要光电子原材料领域的垄断地位。

南大光电凭借多年来的技术积累优势，先后承担并攻克了国家“863计划”MO源全系列产品产业化、国家“02专项”高纯电子气体（砷烷、磷烷）研发与产业化、ALD/CVD前驱体产业化等多个困扰我国数十年的项目，填补了多项国内空白。

2017年，公司承担了集成电路芯片制造用关键核心材料之一的193nm 光刻胶材料的研发与产业化项目，先后获得国家“02专项”之“193nm光刻胶及配套材料关键技术开发项目”和“ArF光刻胶开发和产业化项目”的正式立项。